এনহ্যান্সমেন্ট-মোড MOSFETs (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর FET) হল সাধারণ সুইচিং উপাদান বেশিরভাগ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটে। এই ডিভাইসগুলি শূন্য গেট-সোর্স ভোল্টেজে বন্ধ। … বেশিরভাগ সার্কিটে, এর অর্থ হল একটি বর্ধিতকরণ-মোড MOSFET এর গেট ভোল্টেজকে এর ড্রেন ভোল্টেজের দিকে টানলে এটি চালু হয়।
MOSFET-এ বর্ধিতকরণ-মোড কী?
এনহ্যান্সমেন্ট-মোড MOSFETs সম্পর্কে
গেট এবং সোর্স টার্মিনালের মধ্যে কোন ভোল্টেজ প্রয়োগ করা না হলে ড্রেন এবং সোর্সের মধ্যে কোন পথ থাকে না। একটি গেট-টু-সোর্স ভোল্টেজ প্রয়োগ করা চ্যানেলকে উন্নত করে, এটি কারেন্ট পরিচালনা করতে সক্ষম করে তোলে। এই বৈশিষ্ট্যটি এই ডিভাইসটিকে এনহান্সমেন্ট-মোড MOSFET লেবেল করার কারণ৷
MOSFET বর্ধিতকরণ প্রকার MOSFET এর বৈশিষ্ট্যগুলি কী ব্যাখ্যা করে?
MOSFET সাধারণত দুই প্রকারে শ্রেণীবদ্ধ করা হয়। … MOSFET যেটি মূলত বন্ধ অবস্থায় থাকে যা চালু করতে টার্মিনাল গেটে নির্দিষ্ট পরিমাণ ভোল্টেজের প্রয়োজন হয়এনহ্যান্সমেন্ট এমওএসএফইটি হিসাবে উল্লেখ করা হয়। গেট ভোল্টেজ প্রয়োগের কারণে ড্রেন এবং উৎসের টার্মিনালের মধ্যে চ্যানেলটি কম প্রতিরোধী হয়ে যায়।
একটি MOSFET কিভাবে একটি বর্ধিতকরণ প্রকার ডিভাইস হিসাবে কাজ করে?
গেটে থাকা ভোল্টেজ MOSFET এর অপারেশন নিয়ন্ত্রণ করে। এই ক্ষেত্রে, গেটে ইতিবাচক এবং ঋণাত্মক উভয় ভোল্টেজ প্রয়োগ করা যেতে পারে কারণ এটি চ্যানেল থেকে উত্তাপযুক্ত। নেতিবাচক গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে, এটি হ্রাস MOSFET হিসাবে কাজ করে যখন ধনাত্মক গেট বায়াস ভোল্টেজের সাথে এটি একটি বর্ধিত MOSFET হিসাবে কাজ করে।
বর্ধিতকরণ এবং হ্রাস মোডের মধ্যে পার্থক্য কী?
এনহ্যান্সমেন্ট এমওএসএফইটি-তে, চ্যানেলটি প্রাথমিকভাবে বিদ্যমান থাকে না এবং প্ররোচিত হয় অর্থাৎ গেট টার্মিনালগুলিতে থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজের চেয়ে বেশি ভোল্টেজ প্রয়োগ করে চ্যানেলটি তৈরি করা হয়।অন্যদিকে, MOSFET অবক্ষয়ে, MOSFET নিজেই নির্মাণের সময় চ্যানেলটি স্থায়ীভাবে তৈরি করা হয়েছে (ডোপিং দ্বারা)।
