পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপকরণের উদাহরণ হল সিলিকন (Si), জার্মেনিয়াম (Ge), অ্যালুমিনিয়াম আর্সেনাইড (AlAs) এবং গ্যালিয়াম ফসফাইড (GaP)।
পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপের উদাহরণ কোনটি?
সরাসরি ব্যান্ডগ্যাপ উপকরণের উদাহরণের মধ্যে রয়েছে নিরাকার সিলিকন এবং কিছু III-V উপাদান যেমন InAs এবং GaAs। পরোক্ষ ব্যান্ডগ্যাপ উপকরণগুলির মধ্যে রয়েছে স্ফটিক সিলিকন এবং Ge। কিছু III-V উপকরণও পরোক্ষ ব্যান্ডগ্যাপ, যেমন AlSb.
একটি পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর কি?
একটি পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরে, ভ্যালেন্স ব্যান্ডের সর্বোচ্চ শক্তি পরিবাহী ব্যান্ড শক্তির সর্বনিম্ন থেকে ভরবেগের ভিন্ন মানের সাথে ঘটে: উভয়ের মধ্যে পার্থক্য অপটিক্যাল ডিভাইসে সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ।
নেতৃত্বাধীন পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর?
কিন্তু আপনার যদি একটি পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ থাকে তবে ইলেক্ট্রন এবং গর্তগুলির একটি আলাদা ��⃗ ভেক্টর থাকে এবং তাই একটি ভরবেগ স্থানান্তর করতে হবে → আপনি একটি জালি কম্পন পাবেন, যার অর্থ আপনি শক্তি আকারে পাবেন রিকম্বিনেশনে একটি ফোনন যে কারণে একটি LED এর একটি অর্ধপরিবাহী রয়েছে যার সাথে একটি সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ রয়েছে৷
সিলিকন কি প্রত্যক্ষ বা পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর?
এটা সুপরিচিত যে Si হল একটি পরোক্ষ ব্যান্ড গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর যার প্রত্যক্ষ ব্যবধান (3.5 eV) এবং পরোক্ষ ব্যবধান (1.1 eV) এর মধ্যে একটি বড় শক্তির পার্থক্য রয়েছে।
